所谓薄膜可变电容器是指在Si电路板上通过薄膜法形成电介质，树脂封装。而电介质薄膜材料则采用了高介电常数系列的陶瓷材料钛酸钡(BaTiO3：以下简称BT)系列材料。陶瓷电容器中使用的强电介质材料包含了BT系列材料等，因此当向电介质施加电场的时候，它具有相对介电常数变化(减少)的直流偏置特性。

薄膜可变电容器活用了直流偏置特性，是一种可以通过控制电压来调整静电容量的功能性设备。此外，通过薄膜法将电介质层变薄，从而提升了施加于电介质的电场强度，实现了通过低电压获得相对较大的静电容量变化率的目标。

另外，由于使用了高介电常数系列材料，可以通过反复施加电压来最佳地控制电介质的组成，例如像静电容量值的偏差(直流偏置老化特性)、静电容量变化的迟滞特性这样的课题。在NFC的场合下，通过调整共振频率的应用确保零问题使用。